고순도 88% 탄화규소 분말 0-1mm (제강 탈산제 및 주조용)

• 즉각 반응 속도:0-1mm의 미세 곡물 구조는 녹은 철과 철 목욕탕에서 거의 즉각적인 용해를 보장합니다.
• 정밀 탄소/실리콘 제어:예측 가능한 88% SiC 순도와 함께 엄격한 화학 허용을 달성하여 비싼 "회공" 및 합금 수정 작업을 줄이십시오.
• 우수한 슬래그 유동성:슬래그에 있는 FeO와 MnO를 빠르게 감소시켜, 불투명 물질을 활 침식으로부터 보호하는 보호 "공성 슬래그"를 만듭니다.
• 낮은 불순물 프로파일:극히 낮은 황과 질소 농도는 이 분자를 고급 자동차 및 항공 우주 가루 용품에 이상적인 선택으로 만듭니다.
• 비용 효율적인 대체:고비용의 철실리콘과 합성 그래피트의 최대 30%를 고성능의 탈산화 가루로 대체합니다.

정밀 금속 작업에서, 디옥시더의 표면 면적은 산소 닦는 과정의 속도를 결정합니다.젠안의 0-1mm SiC 파우더덩어리 또는 큰 곡물 버전에 비해 접촉 면적의 기하급수적 증가를 제공합니다. 이것은 다음과 같은 주요 선택으로 만듭니다.

1. 래들 오븐 (LF) 정비:좁은 시간 안에 실리콘과 탄소를 빠르게 조정해야 하는 경우
2. 코어 와이어 충전:자유 흐르는 분말 특성 때문에 SiC 코어 와이어 생산에 적합합니다.
3. 툰디시 슬래그 컨디셔닝:높은 온도와 낮은 산소 잠재력을 유지 하 고 연속 casting.

다음 표는젠안0-1mm 실리콘 카비드 파우더, 고속 금속 라인을 위해 특별히 처리.

• 플럭스 비용 감소:SiC 분말의 급속한 탈산화로 자기 흐르는 슬래그가 생성되어 칼슘 알루미나트 또는 플루오스파르 추가의 필요성이 감소합니다.
• 강화된 포함 제거:반응 중에 생성되는 미세한 CO 거품 (SiC + 3[O] → SiO2 + CO↑) 은 표면에 떠다니며 유해한 현미경적 포함물을 제거합니다.
• 공급망 회복력:와 함께젠안의전용 분쇄 및 미세화 시설, 우리는 일반 산업 부산물에서 일반적인 "대량" 오염의 위험 없이 일관성 0-1mm 크기를 보장합니다.